大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统p>

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，安徽财经大学选课系统，安徽财经大学教务处官网点学生系统trong>国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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