大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室酸笋可以直接吃吗，酸笋可以直接吃吗有毒吗依法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。酸笋可以直接吃吗，酸笋可以直接吃吗有毒吗rong>存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。