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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、S硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写K 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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