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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查的(de)结(jié)论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.5先考与显考是什么意思区别，先考与显考有何区别2％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(先考与显考是什么意思区别，先考与显考有何区别kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内先考与显考是什么意思区别，先考与显考有何区别长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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