大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列精彩演绎是什么意思解释，精彩演绎是啥意思江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dà精彩演绎是什么意思解释，精彩演绎是啥意思o)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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