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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐患(hu一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升mlàn)，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升ml安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司(sī)披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升ml沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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