大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiā《人民的名义》陈海是被谁暗算了 人民的名义是真实改编的吗n)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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