大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响(x毁掉一个女人最好的办法名声，毁掉一个渣女最好的方法iǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安(ān)全(quán)，是(shì)维(wéi)护国家安全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫保持毁掉一个女人最好的办法名声，毁掉一个渣女最好的方法良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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