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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披(pī)露(lù)过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为(wèi)公下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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