大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％行而不辍履践致远是什么意思，行而不辍 什么意思。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS行而不辍履践致远是什么意思，行而不辍 什么意思 Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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