大家好(hǎo)，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高rong>

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，202中海物业是国企还是央企 中海和万科哪个档次高1 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。