大家好，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全冀g是河北哪里的车牌审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网冀g是河北哪里的车牌络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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