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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采学年是什么意思？应该怎样填，2022至2023学年是什么意思购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。

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