大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国(gu凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗ó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)的运凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗(yùn)营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。<凉风席席的是什么意思，凉风席席是成语吗/strong>存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。