大家好，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。30公分等于几厘米 30公分等于30厘米吗>

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限30公分等于几厘米 30公分等于30厘米吗制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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