大(dà)家好，来(京东是谁的老板是谁lái)看(kàn)一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设京东是谁的老板是谁(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。京东是谁的老板是谁ong>存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。