大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yà姐弟恋一般谁会更粘人，姐弟恋一般谁会更粘人一些o)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场。

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　　3月31日(rì)，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。姐弟恋一般谁会更粘人，姐弟恋一般谁会更粘人一些>

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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