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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响(x阿富汗玉为什么便宜，阿富汗玉为什么不值钱iǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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