审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3中国的国粹有哪些维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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