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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、2几率和机率哪个正确一点，几率和机率有何不同2.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有几率和机率哪个正确一点，几率和机率有何不同券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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