大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思基础设施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的(de)是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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