大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omd一滴水多少ml 一滴水多少克ia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(y一滴水多少ml 一滴水多少克ī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外一滴水多少ml 一滴水多少克三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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