大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(dià龙有几个爪 龙有两个根吗n)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的(de龙有几个爪 龙有两个根吗)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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