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　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信息脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿(y脱离了低级趣味那句原话怎么说的纪念白求恩，低级趣味是什么意思án)要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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