大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险两只小白兔在衬衫里抖来两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃抖去，老师两只大兔子来回晃，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要(yào)两只小白兔在衬衫里抖来抖去，老师两只大兔子来回晃求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键(jiàn)、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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