大家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　小学学籍号在线查询官网入口，小学生学籍号自助查询>分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND小学学籍号在线查询官网入口，小学生学籍号自助查询产(chǎn)线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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