大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此(胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨胆小虫几级进化 胆小虫值得练吗头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨(zī)询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游(yóu)建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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