大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(三生有幸遇见你下一句怎么接，三生有幸遇见你下一句幽默chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来三生有幸遇见你下一句怎么接，三生有幸遇见你下一句幽默自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND 三生有幸遇见你下一句怎么接，三生有幸遇见你下一句幽默Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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