大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限(x中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家iàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(中国和哪国通婚最多，嫁中国人最多的国家hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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