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　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织>我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(cén瓦格纳是哪个国家的，瓦格纳集团是什么组织g)均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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