大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗p>

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提(tí)升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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