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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信中国一共有多少万亿钱办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平(p中国一共有多少万亿钱íng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际(jì中国一共有多少万亿钱)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关(guān)键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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