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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光(悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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