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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美两只小兔子吸红肿了，两只头头被吸肿了ight: 24px;'>两只小兔子吸红肿了，两只头头被吸肿了国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、两只小兔子吸红肿了，两只头头被吸肿了美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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