大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产品。人+工念什么 人工念什么姓strong>

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月人+工念什么 人工念什么姓31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定(d人+工念什么 人工念什么姓ìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。