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　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō稻草人的作者简介和主要内容，稻草人的作者简介20字)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果稻草人的作者简介和主要内容，稻草人的作者简介20字美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)稻草人的作者简介和主要内容，稻草人的作者简介20字等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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