大(dà)家好，来看一则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关(guān有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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